SQJB00EP-T1_BE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 131.12 грн |
| 10+ | 80.14 грн |
| 50+ | 60.31 грн |
| 100+ | 50.58 грн |
| 500+ | 40.04 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJB00EP-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції SQJB00EP-T1_BE3 за ціною від 35.69 грн до 145.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJB00EP-T1_BE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE |
на замовлення 46942 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJB00EP-T1_BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SQJB00EP-T1_BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQJB00EP-T1_BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 46942 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 145.05 грн |
| 10+ | 68.63 грн |
| 100+ | 53.31 грн |
| 500+ | 42.20 грн |
| 1000+ | 40.08 грн |
| 3000+ | 36.13 грн |
| 6000+ | 35.69 грн |
| SQJB00EP-T1_BE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQJB00EP-T1_BE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)