Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQJB00EP-T1_GE3
SQJB00EP-T1_GE3

SQJB00EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sqjb00ep.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 16982 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.66 грн
10+84.94 грн
100+49.88 грн
500+39.42 грн
1000+36.35 грн
3000+31.81 грн
6000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB00EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0105 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0105ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJB00EP-T1_GE3 за ціною від 42.44 грн до 138.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJB00EP-T1_GE3 SQJB00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb00ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.84 грн
10+84.97 грн
50+63.94 грн
100+53.62 грн
500+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3 SQJB00EP-T1_GE3 VISHAY sqjb00ep.pdf Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3 SQJB00EP-T1_GE3 VISHAY sqjb00ep.pdf Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3 sqjb00ep.pdf
SQJB00EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.84 грн
10+84.97 грн
50+63.94 грн
100+53.62 грн
500+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3 sqjb00ep.pdf
SQJB00EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB00EP-T1_GE3 sqjb00ep.pdf
SQJB00EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.