
SQJB00EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 40.82 грн |
1000+ | 35.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJB00EP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJB00EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0105 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0105ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQJB00EP-T1_GE3 за ціною від 33.87 грн до 119.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQJB00EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0105ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0105ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 3319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SQJB00EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
на замовлення 7974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
SQJB00EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 18317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
|
SQJB00EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |