SQJB02ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.55 грн |
| 10+ | 77.75 грн |
| 100+ | 52.75 грн |
| 500+ | 43.55 грн |
| 1000+ | 34.43 грн |
| 3000+ | 32.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJB02ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Part Status: Active.
Інші пропозиції SQJB02ELP-T1_GE3 за ціною від 35.77 грн до 86.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SQJB02ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SQJB02ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V ( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 8990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|