SQJB02ELP-T1_GE3

SQJB02ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix


sqjb02elp.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 5987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.01 грн
10+79.94 грн
100+54.24 грн
500+44.78 грн
1000+35.40 грн
3000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB02ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJB02ELP-T1_GE3 за ціною від 32.16 грн до 117.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJB02ELP-T1_GE3 SQJB02ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjb02elp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.01 грн
10+71.39 грн
100+47.69 грн
500+35.23 грн
1000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB02ELP-T1_GE3 SQJB02ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjb02elp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.