SQJB40EP-T1_BE3 Vishay Siliconix


sqjb40ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+33.39 грн
6000+30.62 грн
9000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB40EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Power - Max: 34W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SQJB40EP-T1_BE3 за ціною від 29.26 грн до 86.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJB40EP-T1_BE3 SQJB40EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqjb40ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.13 грн
10+63.62 грн
100+49.46 грн
500+39.34 грн
1000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_BE3 SQJB40EP-T1_BE3 Vishay / Siliconix sqjb40ep.pdf MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 17124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.35 грн
10+69.86 грн
100+47.27 грн
500+40.08 грн
1000+32.68 грн
3000+30.72 грн
6000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_BE3 sqjb40ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+80.13 грн
10+63.62 грн
100+49.46 грн
500+39.34 грн
1000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_BE3 sqjb40ep.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 17124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+86.35 грн
10+69.86 грн
100+47.27 грн
500+40.08 грн
1000+32.68 грн
3000+30.72 грн
6000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.