Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJB40EP-T1_GE3
SQJB40EP-T1_GE3

SQJB40EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjb40ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+36.72 грн
6000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB40EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJB40EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6300 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6300µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 34W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6300µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 34W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SQJB40EP-T1_GE3 за ціною від 29.54 грн до 163.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJB40EP-T1_GE3 SQJB40EP-T1_GE3 VISHAY 3006527.pdf Description: VISHAY - SQJB40EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6300 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.19 грн
500+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 SQJB40EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb40ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.77 грн
10+69.90 грн
100+54.40 грн
500+43.27 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 SQJB40EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqjb40ep.pdf MOSFETs Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.31 грн
10+42.16 грн
100+32.26 грн
500+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 SQJB40EP-T1_GE3 VISHAY 3006527.pdf Description: VISHAY - SQJB40EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6300 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.75 грн
10+103.46 грн
100+64.19 грн
500+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 3006527.pdf
SQJB40EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB40EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6300 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+64.19 грн
500+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 sqjb40ep.pdf
SQJB40EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.77 грн
10+69.90 грн
100+54.40 грн
500+43.27 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 sqjb40ep.pdf
SQJB40EP-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.31 грн
10+42.16 грн
100+32.26 грн
500+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 3006527.pdf
SQJB40EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB40EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6300 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+163.75 грн
10+103.46 грн
100+64.19 грн
500+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.