Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJB40EP-T1_GE3
SQJB40EP-T1_GE3

SQJB40EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjb40ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+36.54 грн
9000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB40EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJB40EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6300 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6300µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 34W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6300µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 34W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції SQJB40EP-T1_GE3 за ціною від 34.01 грн до 145.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJB40EP-T1_GE3 SQJB40EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb40ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.44 грн
10+81.85 грн
50+61.59 грн
100+51.66 грн
500+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 SQJB40EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqjb40ep.pdf MOSFETs Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 7314 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+145.05 грн
10+68.63 грн
100+53.31 грн
500+42.20 грн
1000+41.10 грн
3000+34.08 грн
9000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 SQJB40EP-T1_GE3 VISHAY 3006527.pdf Description: VISHAY - SQJB40EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 SQJB40EP-T1_GE3 VISHAY 3006527.pdf Description: VISHAY - SQJB40EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 sqjb40ep.pdf
SQJB40EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.44 грн
10+81.85 грн
50+61.59 грн
100+51.66 грн
500+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 sqjb40ep.pdf
SQJB40EP-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 7314 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.05 грн
10+68.63 грн
100+53.31 грн
500+42.20 грн
1000+41.10 грн
3000+34.08 грн
9000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 3006527.pdf
SQJB40EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB40EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 3006527.pdf
SQJB40EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB40EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.