Продукція > VISHAY > SQJB44EP-T1_GE3
SQJB44EP-T1_GE3

SQJB44EP-T1_GE3 VISHAY

3983274.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB44EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 4100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+64.85 грн
500+44.10 грн
1000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB44EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJB44EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 4100 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4100µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJB44EP-T1_GE3 за ціною від 38.75 грн до 149.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJB44EP-T1_GE3 SQJB44EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqjb44ep.pdf MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 11385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.87 грн
10+93.15 грн
100+59.63 грн
500+47.48 грн
1000+43.36 грн
3000+39.45 грн
6000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB44EP-T1_GE3 SQJB44EP-T1_GE3 VISHAY 3983274.pdf Description: VISHAY - SQJB44EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 4100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4100µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.08 грн
10+96.13 грн
100+64.85 грн
500+44.10 грн
1000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB44EP-T1_GE3 sqjb44ep.pdf
SQJB44EP-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 11385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+114.87 грн
10+93.15 грн
100+59.63 грн
500+47.48 грн
1000+43.36 грн
3000+39.45 грн
6000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB44EP-T1_GE3 3983274.pdf
SQJB44EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB44EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 4100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4100µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+149.08 грн
10+96.13 грн
100+64.85 грн
500+44.10 грн
1000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.