Продукція > VISHAY > SQJB44EP-T1_GE3
SQJB44EP-T1_GE3

SQJB44EP-T1_GE3 VISHAY

3983274.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB44EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 4100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.67 грн
500+52.20 грн
1000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB44EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJB44EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 4100 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4100µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJB44EP-T1_GE3 за ціною від 38.05 грн до 162.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJB44EP-T1_GE3 SQJB44EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqjb44ep.pdf MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 11385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.59 грн
10+91.30 грн
100+58.45 грн
500+46.54 грн
1000+42.50 грн
3000+38.67 грн
6000+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB44EP-T1_GE3 SQJB44EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3983274.pdf Description: VISHAY - SQJB44EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 4100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+162.89 грн
10+104.60 грн
100+70.67 грн
500+52.20 грн
1000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB44EP-T1_GE3 SQJB44EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjb44ep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB44EP-T1_GE3 SQJB44EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjb44ep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.