Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJB46ELP-T1_GE3
SQJB46ELP-T1_GE3

SQJB46ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjb46elp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB46ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Power - Max: 34W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SQJB46ELP-T1_GE3 за ціною від 34.50 грн до 124.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJB46ELP-T1_GE3 SQJB46ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb46elp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.35 грн
10+75.91 грн
100+50.93 грн
500+37.74 грн
1000+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46ELP-T1_GE3 SQJB46ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqjb46elp.pdf MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 39861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46ELP-T1_GE3 sqjb46elp.pdf
SQJB46ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.35 грн
10+75.91 грн
100+50.93 грн
500+37.74 грн
1000+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46ELP-T1_GE3 sqjb46elp.pdf
SQJB46ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 39861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.