SQJB46ELP-T1_GE3

SQJB46ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqjb46elp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB46ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 34W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJB46ELP-T1_GE3 за ціною від 31.19 грн до 126.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJB46ELP-T1_GE3 SQJB46ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqjb46elp.pdf MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 39861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.55 грн
10+75.30 грн
100+50.98 грн
500+40.32 грн
1000+35.17 грн
3000+32.37 грн
6000+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46ELP-T1_GE3 SQJB46ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjb46elp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.53 грн
10+77.25 грн
100+51.83 грн
500+38.40 грн
1000+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.