Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJB46EP-T1_GE3
SQJB46EP-T1_GE3

SQJB46EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjb46ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB46EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 34W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJB46EP-T1_GE3 за ціною від 31.49 грн до 92.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJB46EP-T1_GE3 SQJB46EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjb46ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.56 грн
10+65.90 грн
100+51.23 грн
500+40.75 грн
1000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46EP-T1_GE3 SQJB46EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqjb46ep.pdf MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.70 грн
10+75.21 грн
100+50.91 грн
500+43.11 грн
1000+35.09 грн
3000+33.03 грн
6000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46EP-T1_GE3 Виробник : Vishay nods.pdf Automotive Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.