Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJB48EP-T1_GE3
SQJB48EP-T1_GE3

SQJB48EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjb48ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.93 грн
10+83.17 грн
100+64.71 грн
500+51.47 грн
1000+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB48EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 48W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJB48EP-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJB48EP-T1_GE3 SQJB48EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqjb48ep.pdf MOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.