SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqjb60ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJB60EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.01 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQJB60EP-T1_GE3 за ціною від 33.55 грн до 115.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJB60EP-T1_GE3 SQJB60EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqjb60ep.pdf Description: VISHAY - SQJB60EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 22309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.83 грн
500+41.61 грн
1500+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3 SQJB60EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqjb60ep.pdf Description: VISHAY - SQJB60EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 22309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.00 грн
50+72.46 грн
100+59.83 грн
500+41.61 грн
1500+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3 SQJB60EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjb60ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.84 грн
10+68.51 грн
100+48.09 грн
500+36.56 грн
1000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3 SQJB60EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqjb60ep.pdf MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 27241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.87 грн
10+86.30 грн
100+54.07 грн
500+42.74 грн
1000+38.55 грн
3000+34.50 грн
6000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3 SQJB60EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjb60ep.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3 SQJB60EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjb60ep.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3 SQJB60EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjb60ep.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.