SQJB60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqjb60ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 48W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJB60EP-T1_GE3 за ціною від 30.24 грн до 123.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJB60EP-T1_GE3 SQJB60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb60ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.48 грн
10+67.63 грн
100+47.47 грн
500+36.09 грн
1000+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3 SQJB60EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqjb60ep.pdf MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.01 грн
10+81.10 грн
100+47.62 грн
500+37.64 грн
1000+34.70 грн
3000+32.82 грн
6000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3 sqjb60ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+104.48 грн
10+67.63 грн
100+47.47 грн
500+36.09 грн
1000+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3 sqjb60ep.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+123.01 грн
10+81.10 грн
100+47.62 грн
500+37.64 грн
1000+34.70 грн
3000+32.82 грн
6000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.