SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 28.13 грн |
| 6000+ | 25.80 грн |
| 9000+ | 24.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJB68EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0765 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0765ohm, Verlustleistung Pd: 27W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung, p-Kanal: 27W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0765ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 27W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0765ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQJB68EP-T1_GE3 за ціною від 23.94 грн до 90.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJB68EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJB68EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0765 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0765ohm Verlustleistung, p-Kanal: 27W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0765ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 27W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SQJB68EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SQJB68EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L |
на замовлення 437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SQJB68EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SQJB68EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJB68EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0765 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0765ohm Verlustleistung Pd: 27W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung, p-Kanal: 27W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0765ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 27W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0765ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SQJB68EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SQJB68EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
SQJB68EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |