SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqjb68ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+28.58 грн
6000+26.21 грн
9000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJB68EP-T1_GE3 за ціною від 25.09 грн до 72.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJB68EP-T1_GE3 SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb68ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 27W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+54.44 грн
100+42.34 грн
500+33.68 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3 SQJB68EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqjb68ep.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.53 грн
10+63.95 грн
100+43.42 грн
500+35.88 грн
1000+28.26 грн
3000+26.36 грн
6000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3 sqjb68ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 27W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+68.98 грн
10+54.44 грн
100+42.34 грн
500+33.68 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3 sqjb68ep.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+72.53 грн
10+63.95 грн
100+43.42 грн
500+35.88 грн
1000+28.26 грн
3000+26.36 грн
6000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.