SQJB80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqjb80ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+36.18 грн
6000+32.50 грн
9000+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 48W, Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJB80EP-T1_GE3 за ціною від 29.54 грн до 131.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJB80EP-T1_GE3 SQJB80EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqjb80ep.pdf MOSFETs 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 82591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.12 грн
10+81.10 грн
100+47.62 грн
500+37.64 грн
1000+34.70 грн
3000+30.38 грн
6000+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3 SQJB80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb80ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.97 грн
10+81.02 грн
100+54.50 грн
500+40.48 грн
1000+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3 sqjb80ep.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 82591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.12 грн
10+81.10 грн
100+47.62 грн
500+37.64 грн
1000+34.70 грн
3000+30.38 грн
6000+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3 sqjb80ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+131.97 грн
10+81.02 грн
100+54.50 грн
500+40.48 грн
1000+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.