Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJQ100E-T1_GE3
SQJQ100E-T1_GE3

SQJQ100E-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjq100e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+102.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ100E-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 8 x 8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14780 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJQ100E-T1_GE3 за ціною від 95.92 грн до 289.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ100E-T1_GE3 SQJQ100E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq100e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.06 грн
10+190.79 грн
100+134.16 грн
500+103.21 грн
1000+95.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100E-T1_GE3 SQJQ100E-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqjq100e.pdf MOSFETs 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.07 грн
10+207.86 грн
100+133.30 грн
500+119.74 грн
1000+111.46 грн
2000+100.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100E-T1_GE3 SQJQ100E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq100e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.