Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJQ112ER-T1_GE3
SQJQ112ER-T1_GE3

SQJQ112ER-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjq112er.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+140.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ112ER-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJQ112ER-T1_GE3 за ціною від 122.02 грн до 390.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ112ER-T1_GE3 SQJQ112ER-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqjq112er.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.65 грн
10+248.06 грн
100+153.51 грн
500+144.07 грн
1000+137.77 грн
2000+122.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112ER-T1_GE3 SQJQ112ER-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq112er.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+390.03 грн
10+248.81 грн
100+176.85 грн
500+137.16 грн
1000+127.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112ER-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq112er.pdf 100 V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.