Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJQ112ER-T1_GE3
SQJQ112ER-T1_GE3

SQJQ112ER-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjq112er.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+135.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ112ER-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJQ112ER-T1_GE3 за ціною від 122.61 грн до 373.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ112ER-T1_GE3 SQJQ112ER-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqjq112er.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+336.30 грн
10+246.45 грн
100+153.94 грн
500+144.88 грн
1000+137.34 грн
2000+126.02 грн
4000+123.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112ER-T1_GE3 SQJQ112ER-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq112er.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.86 грн
10+238.49 грн
100+169.52 грн
500+131.47 грн
1000+122.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112ER-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq112er.pdf 100 V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.