Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJQ130EL-T1_GE3
SQJQ130EL-T1_GE3

SQJQ130EL-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjq130el.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23345 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+129.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ130EL-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 8 x 8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 445A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23345 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJQ130EL-T1_GE3 за ціною від 112.22 грн до 352.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ130EL-T1_GE3 SQJQ130EL-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq130el.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23345 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.05 грн
10+223.36 грн
100+158.36 грн
500+122.53 грн
1000+114.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3 SQJQ130EL-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqjq130el.pdf MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 9123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+352.07 грн
10+229.33 грн
100+156.20 грн
500+138.76 грн
1000+134.97 грн
2000+114.49 грн
4000+112.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqjq130el.pdf SQJQ130EL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.