Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJQ140E-T1_GE3
SQJQ140E-T1_GE3

SQJQ140E-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjq140e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 701A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+116.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ140E-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 8 x 8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 701A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.53mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJQ140E-T1_GE3 за ціною від 107.49 грн до 310.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ140E-T1_GE3 SQJQ140E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq140e.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 701A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.20 грн
10+210.90 грн
100+149.49 грн
500+115.46 грн
1000+107.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ140E-T1_GE3 SQJQ140E-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqjq140e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 7128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.70 грн
10+228.43 грн
25+197.16 грн
100+140.52 грн
500+115.50 грн
1000+108.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ140E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq140e.pdf Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8 x 8L, 0.53 m @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.