SQJQ141EL-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 2000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 167.91 грн |
| 500+ | 143.19 грн |
| 1000+ | 123.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ141EL-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 2000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 600W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SQJQ141EL-T1_GE3 за ціною від 111.40 грн до 346.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJQ141EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 390A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK EP T/R |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQJQ141EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 390A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK EP T/R |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQJQ141EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 11108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQJQ141EL-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 2000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQJQ141EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SQJQ141EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 390A T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
SQJQ141EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |