Продукція > VISHAY > SQJQ144AE-T1_GE3
SQJQ144AE-T1_GE3

SQJQ144AE-T1_GE3 VISHAY

sqjq144ae.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.33 грн
500+97.82 грн
1000+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ144AE-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 575A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET GEN IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJQ144AE-T1_GE3 за ціною від 83.69 грн до 265.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ144AE-T1_GE3 SQJQ144AE-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqjq144ae.pdf MOSFET Auto N-Channel 40V 175C
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.01 грн
10+180.87 грн
100+125.97 грн
250+116.05 грн
500+105.36 грн
1000+90.09 грн
2000+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3 SQJQ144AE-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqjq144ae.pdf Description: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+265.51 грн
10+181.57 грн
100+129.33 грн
500+97.82 грн
1000+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq144ae.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+123.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq144ae.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.81 грн
10+210.12 грн
100+168.93 грн
500+130.25 грн
1000+111.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.