SQJQ144AE-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 122.83 грн |
| 500+ | 92.91 грн |
| 1000+ | 79.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ144AE-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 575A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET GEN IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQJQ144AE-T1_GE3 за ціною від 78.09 грн до 252.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJQ144AE-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET Auto N-Channel 40V 175C |
на замовлення 5889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJQ144AE-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 575A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET GEN IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQJQ144AE-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SQJQ144AE-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|