SQJQ148ER-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ148ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 0.00125 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 372A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 394W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 110.01 грн |
| 500+ | 92.49 грн |
| 1000+ | 73.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ148ER-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ148ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 0.00125 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 372A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 394W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 394W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm.
Інші пропозиції SQJQ148ER-T1_GE3 за ціною від 72.22 грн до 202.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJQ148ER-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 394W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJQ148ER-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 6020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJQ148ER-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ148ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 0.00125 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 372A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 394W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJQ148ER-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 372A Automotive AEC-Q101 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQJQ148ER-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 394W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SQJQ148ER-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Vishay N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C |
товар відсутній |