SQJQ160E-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 602A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16070 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 116.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ160E-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJQ160E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 602 A, 0.00055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 602A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 600W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm.
Інші пропозиції SQJQ160E-T1_GE3 за ціною від 105.29 грн до 318.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJQ160E-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQJQ160E-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ160E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 602 A, 0.00055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 602A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 600W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm |
на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQJQ160E-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 602A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16070 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQJQ160E-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQJQ160E-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQJQ160E-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 8940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQJQ160E-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ160E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 602 A, 0.00055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 602A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQJQ160E-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| SQJQ160E-T1 GE3 | Виробник : Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 60V |
товару немає в наявності |