Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJQ160E-T1_GE3
SQJQ160E-T1_GE3

SQJQ160E-T1_GE3 Vishay Siliconix

doc?63059 Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 602A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16070 pF @ 25 V
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+242.97 грн
10+ 196.7 грн
100+ 159.12 грн
500+ 132.73 грн
1000+ 113.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ160E-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 8 x 8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 602A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16070 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQJQ160E-T1_GE3 за ціною від 108 грн до 274.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJQ160E-T1_GE3 SQJQ160E-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors doc?63059 MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 7969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.5 грн
10+ 201.16 грн
25+ 164.98 грн
100+ 141.79 грн
250+ 133.84 грн
500+ 125.89 грн
1000+ 108 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJQ160E-T1_GE3 SQJQ160E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq160e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+254.49 грн
10+ 227.03 грн
25+ 224.8 грн
50+ 214.55 грн
100+ 161.82 грн
250+ 153.74 грн
500+ 129.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJQ160E-T1_GE3 SQJQ160E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq160e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
43+274.07 грн
48+ 242.09 грн
50+ 231.06 грн
100+ 174.26 грн
250+ 165.57 грн
500+ 139.89 грн
Мінімальне замовлення: 43
SQJQ160E-T1_GE3 SQJQ160E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq160e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
товар відсутній
SQJQ160E-T1_GE3 SQJQ160E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq160e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
товар відсутній
SQJQ160E-T1_GE3 SQJQ160E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix doc?63059 Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 602A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16070 pF @ 25 V
товар відсутній
SQJQ160E-T1 GE3 Виробник : Vishay MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
товар відсутній