SQJQ160ER-T1_GE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 107.05 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ160ER-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJQ160ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.0008 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 363A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm.
Інші пропозиції SQJQ160ER-T1_GE3 за ціною від 111.35 грн до 344.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJQ160ER-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 5217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQJQ160ER-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ160ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.0008 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 363A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SQJQ160ER-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ160ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.0008 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SQJQ160ER-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 2846 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SQJQ160ER-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 321.37 грн |
| 10+ | 203.87 грн |
| 50+ | 158.45 грн |
| 100+ | 134.98 грн |
| 500+ | 115.05 грн |
| SQJQ160ER-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ160ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.0008 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 363A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
Description: VISHAY - SQJQ160ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.0008 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 363A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQJQ160ER-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ160ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.0008 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SQJQ160ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.0008 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQJQ160ER-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 344.08 грн |
| 10+ | 173.91 грн |
| 100+ | 137.68 грн |
| 500+ | 117.37 грн |
| 2000+ | 111.35 грн |