Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJQ184E-T1_GE3
SQJQ184E-T1_GE3

SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjq184e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+109.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 1400 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 430A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SQJQ184E-T1_GE3 за ціною від 120.83 грн до 360.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqjq184e.pdf MOSFETs Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET , 1.4 mO 10V
на замовлення 4193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.49 грн
10+216.42 грн
25+177.62 грн
100+152.24 грн
250+144.49 грн
500+136.03 грн
1000+123.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq184e.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.24 грн
10+196.62 грн
100+139.23 грн
500+120.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 VISHAY 3960319.pdf Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 1400 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+169.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 VISHAY 3960319.pdf Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 1400 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+360.17 грн
50+238.47 грн
100+169.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 sqjq184e.pdf
SQJQ184E-T1_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET , 1.4 mO 10V
на замовлення 4193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+261.49 грн
10+216.42 грн
25+177.62 грн
100+152.24 грн
250+144.49 грн
500+136.03 грн
1000+123.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 sqjq184e.pdf
SQJQ184E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+309.24 грн
10+196.62 грн
100+139.23 грн
500+120.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 3960319.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 1400 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+169.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 3960319.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 1400 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+360.17 грн
50+238.47 грн
100+169.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.