SQJQ184E-T1_GE3

SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqjq184e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+124.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 430A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJQ184E-T1_GE3 за ціною від 106.43 грн до 356.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq184e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 430A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+212.96 грн
10+187.69 грн
25+177.36 грн
50+169.35 грн
100+142.91 грн
250+129.13 грн
500+119.24 грн
1000+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq184e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 430A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+229.34 грн
61+202.12 грн
65+182.37 грн
100+153.90 грн
250+139.06 грн
500+128.41 грн
1000+114.61 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqjq184e.pdf MOSFETs Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET , 1.4 mO 10V
на замовлення 4193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.63 грн
10+232.26 грн
25+190.62 грн
100+163.39 грн
250+155.07 грн
500+145.99 грн
1000+132.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq184e.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.03 грн
10+223.70 грн
100+158.39 грн
500+122.50 грн
1000+114.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqjq184e.pdf Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+192.62 грн
500+168.62 грн
1000+144.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqjq184e.pdf Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+356.39 грн
50+255.41 грн
100+192.62 грн
500+168.62 грн
1000+144.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq184e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 430A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqjq184e.pdf SQJQ184E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1/GE3 Виробник : Vishay MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.