Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJQ402E-T1_GE3
SQJQ402E-T1_GE3

SQJQ402E-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjq402e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.02 грн
10+ 183.53 грн
100+ 147.5 грн
500+ 113.73 грн
1000+ 94.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ402E-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 8 x 8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SQJQ402E-T1_GE3 за ціною від 83.51 грн до 214.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJQ402E-T1_GE3 SQJQ402E-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqjq402e-1764530.pdf MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.98 грн
10+ 191.27 грн
100+ 133.89 грн
500+ 109.73 грн
1000+ 91.1 грн
2000+ 86.27 грн
4000+ 83.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJQ402E-T1_GE3 SQJQ402E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq402e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive
товар відсутній
SQJQ402E-T1_GE3 SQJQ402E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq402e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V
товар відсутній