Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJQ402E-T1_GE3
SQJQ402E-T1_GE3

SQJQ402E-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjq402e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ402E-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 8 x 8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJQ402E-T1_GE3 за ціною від 83.13 грн до 246.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ402E-T1_GE3 SQJQ402E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq402e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.48 грн
10+155.72 грн
100+108.64 грн
500+88.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ402E-T1_GE3 SQJQ402E-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqjq402e.pdf MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 6252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.33 грн
10+185.28 грн
100+113.30 грн
500+94.90 грн
1000+88.28 грн
2000+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ402E-T1_GE3 SQJQ402E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq402e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.