Продукція > VISHAY > SQJQ410EL-T1_GE3
SQJQ410EL-T1_GE3

SQJQ410EL-T1_GE3 VISHAY

sqjq410el.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 0.0028 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+150.68 грн
500+113.98 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ410EL-T1_GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 8 x 8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJQ410EL-T1_GE3 за ціною від 98.68 грн до 280.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ410EL-T1_GE3 SQJQ410EL-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq410el.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.58 грн
10+177.65 грн
100+143.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3 SQJQ410EL-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqjq410el.pdf Description: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 0.0028 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+271.73 грн
10+198.08 грн
100+150.68 грн
500+113.98 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3 SQJQ410EL-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqjq410el.pdf MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 19488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.84 грн
10+202.20 грн
25+165.26 грн
100+133.57 грн
500+108.66 грн
1000+101.87 грн
2000+101.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3 SQJQ410EL-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq410el.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 135A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3 SQJQ410EL-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq410el.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.