SQJQ466E-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 91.34 грн |
| 6000+ | 83.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ466E-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJQ466E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 A, 1900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.
Інші пропозиції SQJQ466E-T1_GE3 за ціною від 96.31 грн до 280.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJQ466E-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQJQ466E-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 11661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SQJQ466E-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ466E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 A, 1900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm |
на замовлення 1878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SQJQ466E-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ466E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 A, 1900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm |
на замовлення 1878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQJQ466E-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 280.24 грн |
| 10+ | 176.89 грн |
| 50+ | 136.81 грн |
| 100+ | 116.29 грн |
| 500+ | 96.31 грн |
| SQJQ466E-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
MOSFETs 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
на замовлення 11661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQJQ466E-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ466E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 A, 1900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
Description: VISHAY - SQJQ466E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 A, 1900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQJQ466E-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ466E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 A, 1900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
Description: VISHAY - SQJQ466E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 A, 1900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)