Продукція > VISHAY > SQJQ480E-T1_GE3
SQJQ480E-T1_GE3

SQJQ480E-T1_GE3 Vishay


sqjq480e.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 150A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+107.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ480E-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJQ480E-T1_GE3 за ціною від 102.44 грн до 293.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ480E-T1_GE3 SQJQ480E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq480e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 150A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8625 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+122.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 SQJQ480E-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqjq480e.pdf Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+148.23 грн
500+112.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 SQJQ480E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq480e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 150A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8625 pF @ 25 V
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.31 грн
10+210.41 грн
100+172.42 грн
500+137.74 грн
1000+116.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 SQJQ480E-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqjq480e.pdf MOSFETs N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.41 грн
10+192.94 грн
25+151.44 грн
100+129.91 грн
250+118.78 грн
500+111.35 грн
1000+102.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 SQJQ480E-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqjq480e.pdf Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+293.13 грн
10+202.36 грн
100+148.23 грн
500+112.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.