Продукція > VISHAY > SQJQ904E-T1_GE3
SQJQ904E-T1_GE3

SQJQ904E-T1_GE3 VISHAY

VISH-S-A0011791488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ904E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 135W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 135W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+131.16 грн
500+109.69 грн
1000+99.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ904E-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJQ904E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 135W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 135W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SQJQ904E-T1_GE3 за ціною від 88.68 грн до 282.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJQ904E-T1_GE3 SQJQ904E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq904e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.32 грн
10+170.96 грн
100+138.29 грн
500+115.36 грн
1000+98.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3 SQJQ904E-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqjq904e.pdf MOSFETs Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.73 грн
10+180.68 грн
100+118.01 грн
500+104.74 грн
1000+94.97 грн
2000+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3 SQJQ904E-T1_GE3 VISHAY sqjq904e.pdf Description: VISHAY - SQJQ904E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 135W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 135W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.69 грн
10+185.74 грн
100+131.16 грн
500+109.69 грн
1000+99.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3 SQJQ904E-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqjq900e-1018889.pdf MOSFET Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3 sqjq904e.pdf
SQJQ904E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+211.32 грн
10+170.96 грн
100+138.29 грн
500+115.36 грн
1000+98.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3 sqjq904e.pdf
SQJQ904E-T1_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+251.73 грн
10+180.68 грн
100+118.01 грн
500+104.74 грн
1000+94.97 грн
2000+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3 sqjq904e.pdf
SQJQ904E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ904E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 135W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 135W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+282.69 грн
10+185.74 грн
100+131.16 грн
500+109.69 грн
1000+99.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3 sqjq900e-1018889.pdf
SQJQ904E-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.