Продукція > VISHAY > SQJQ904E-T1_GE3
SQJQ904E-T1_GE3

SQJQ904E-T1_GE3 VISHAY

VISH-S-A0002923574-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ904E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 135W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 135W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.37 грн
500+107.29 грн
1000+98.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ904E-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJQ904E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 135W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 135W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJQ904E-T1_GE3 за ціною від 98.33 грн до 272.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ904E-T1_GE3 SQJQ904E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq904e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.07 грн
10+173.19 грн
100+140.09 грн
500+116.87 грн
1000+100.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3 SQJQ904E-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqjq904e.pdf MOSFET Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.60 грн
10+192.05 грн
25+157.44 грн
100+134.63 грн
250+127.27 грн
500+119.92 грн
1000+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3 SQJQ904E-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqjq904e.pdf Description: VISHAY - SQJQ904E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 135W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 135W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+272.34 грн
10+193.12 грн
100+151.03 грн
500+120.31 грн
1000+98.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3 SQJQ904E-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqjq900e-1018889.pdf MOSFET Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3 SQJQ904E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq904e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.