
SQJQ906E-T1_GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 13106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 235.17 грн |
10+ | 175.13 грн |
100+ | 107.41 грн |
500+ | 92.70 грн |
1000+ | 88.28 грн |
2000+ | 81.66 грн |
4000+ | 80.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ906E-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 50W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJQ906E-T1_GE3 за ціною від 83.58 грн до 237.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQJQ906E-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SQJQ906E-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |