SQJQ906E-T1_GE3

SQJQ906E-T1_GE3 Vishay Siliconix


SQJQ906E_Web.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.25 грн
10+152.49 грн
100+106.13 грн
500+85.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ906E-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 50W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJQ906E-T1_GE3 за ціною від 76.22 грн до 257.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ906E-T1_GE3 SQJQ906E-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix SQJQ906E_Web.pdf MOSFETs 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 12606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.07 грн
10+164.88 грн
100+99.61 грн
500+86.02 грн
1000+84.52 грн
2000+76.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906E-T1_GE3 SQJQ906E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix SQJQ906E_Web.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.