SQJQ906E-T1_GE3

SQJQ906E-T1_GE3 Vishay / Siliconix


SQJQ906E_Web.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13106 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.17 грн
10+175.13 грн
100+107.41 грн
500+92.70 грн
1000+88.28 грн
2000+81.66 грн
4000+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ906E-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 50W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJQ906E-T1_GE3 за ціною від 83.58 грн до 237.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ906E-T1_GE3 SQJQ906E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix SQJQ906E_Web.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.15 грн
10+148.67 грн
100+103.47 грн
500+83.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906E-T1_GE3 SQJQ906E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix SQJQ906E_Web.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.