SQJQ906EL-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 95.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ906EL-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 0.0036 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0036ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 187W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0036ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 187W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQJQ906EL-T1_GE3 за ціною від 76.92 грн до 215.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJQ906EL-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 0.0036 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0036ohm Verlustleistung, p-Kanal: 187W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0036ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 187W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQJQ906EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 3422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQJQ906EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 187W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQJQ906EL-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 0.0036 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0036ohm Verlustleistung, p-Kanal: 187W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0036ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 187W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQJQ906EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R |
товару немає в наявності |