Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJQ906EL-T1_GE3
SQJQ906EL-T1_GE3

SQJQ906EL-T1_GE3 Vishay Siliconix

SQJQ906EL.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 187W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+95.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ906EL-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 187W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 187W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції SQJQ906EL-T1_GE3 за ціною від 92.32 грн до 208.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJQ906EL-T1_GE3 SQJQ906EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ906EL.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 187W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.03 грн
10+179.77 грн
100+144.51 грн
500+111.43 грн
1000+92.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906EL-T1_GE3 SQJQ906EL-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0002472549-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906EL-T1_GE3 SQJQ906EL-T1_GE3 Vishay Semiconductors SQJQ906EL.pdf MOSFETs 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906EL-T1_GE3 SQJQ906EL-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0002472549-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906EL-T1_GE3 SQJQ906EL.pdf
SQJQ906EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 187W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.03 грн
10+179.77 грн
100+144.51 грн
500+111.43 грн
1000+92.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906EL-T1_GE3 VISH-S-A0002472549-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJQ906EL-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906EL-T1_GE3 SQJQ906EL.pdf
SQJQ906EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ906EL-T1_GE3 VISH-S-A0002472549-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJQ906EL-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ906EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 160 A, 160 A, 3600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.