SQJQ910EL-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 85.64 грн |
| 6000+ | 79.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ910EL-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJQ910EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 70 A, 70 A, 0.0072 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 70A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0072ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 187W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 187W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQJQ910EL-T1_GE3 за ціною від 77.98 грн до 226.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJQ910EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJQ910EL-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ910EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 70 A, 70 A, 0.0072 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 70A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0072ohm Verlustleistung, p-Kanal: 187W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 187W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 3299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJQ910EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 187W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJQ910EL-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ910EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 70 A, 70 A, 0.0072 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 70A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0072ohm Verlustleistung, p-Kanal: 187W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 187W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 3299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJQ910EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 52943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SQJQ910EL-T1_GE3 Код товару: 151182
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
SQJQ910EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R |
товару немає в наявності |