Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SQJQ910EL-T1_GE3

SQJQ910EL-T1_GE3

sqjq910el.pdf
Код товару: 151182
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SQJQ910EL-T1_GE3 за ціною від 74.02 грн до 257.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJQ910EL-T1_GE3 SQJQ910EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq910el.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+84.54 грн
6000+78.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 SQJQ910EL-T1_GE3 VISHAY sqjq910el.pdf Description: VISHAY - SQJQ910EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 70 A, 70 A, 7200 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 70A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.60 грн
500+105.91 грн
1000+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 SQJQ910EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq910el.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.75 грн
10+149.93 грн
100+119.36 грн
500+94.78 грн
1000+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 SQJQ910EL-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqjq910el.pdf MOSFETs 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 44397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.28 грн
10+159.80 грн
100+98.46 грн
500+80.30 грн
1000+79.60 грн
2000+74.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 SQJQ910EL-T1_GE3 VISHAY sqjq910el.pdf Description: VISHAY - SQJQ910EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 70 A, 70 A, 7200 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 70A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.43 грн
10+171.89 грн
100+133.60 грн
500+105.91 грн
1000+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 sqjq910el.pdf
SQJQ910EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+84.54 грн
6000+78.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 sqjq910el.pdf
SQJQ910EL-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ910EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 70 A, 70 A, 7200 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 70A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+133.60 грн
500+105.91 грн
1000+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 sqjq910el.pdf
SQJQ910EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+187.75 грн
10+149.93 грн
100+119.36 грн
500+94.78 грн
1000+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 sqjq910el.pdf
SQJQ910EL-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 44397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+249.28 грн
10+159.80 грн
100+98.46 грн
500+80.30 грн
1000+79.60 грн
2000+74.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 sqjq910el.pdf
SQJQ910EL-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ910EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 70 A, 70 A, 7200 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 70A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+257.43 грн
10+171.89 грн
100+133.60 грн
500+105.91 грн
1000+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.