Інші пропозиції SQJQ910EL-T1_GE3 за ціною від 73.55 грн до 247.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJQ910EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 187W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJQ910EL-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ910EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 70 A, 70 A, 7200 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 70A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm Verlustleistung, p-Kanal: 187W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 187W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJQ910EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 187W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJQ910EL-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ910EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 70 A, 70 A, 7200 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 70A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm Verlustleistung, p-Kanal: 187W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 187W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJQ910EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 44397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJQ910EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SQJQ910EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |