SQJQ960EL-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 71W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 70.78 грн |
| 4000+ | 67.36 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ960EL-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJQ960EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 63 A, 63 A, 7000 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 63A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 71W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 71W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції SQJQ960EL-T1_GE3 за ціною від 68.64 грн до 248.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJQ960EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 71W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQJQ960EL-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 2338 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQJQ960EL-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 3023 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SQJQ960EL-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ960EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 63 A, 63 A, 7000 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 63A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 71W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 71W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SQJQ960EL-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ960EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 63 A, 63 A, 7000 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 63A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 71W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 71W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQJQ960EL-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 71W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 71W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 224.45 грн |
| 10+ | 139.41 грн |
| 100+ | 97.52 грн |
| 500+ | 74.20 грн |
| 1000+ | 68.64 грн |
| SQJQ960EL-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
MOSFETs 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 248.29 грн |
| 10+ | 158.95 грн |
| 100+ | 96.54 грн |
| 500+ | 78.25 грн |
| 1000+ | 76.06 грн |
| 2000+ | 71.67 грн |
| SQJQ960EL-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
MOSFET 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| SQJQ960EL-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ960EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 63 A, 63 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 63A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 71W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 71W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - SQJQ960EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 63 A, 63 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 63A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 71W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 71W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQJQ960EL-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ960EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 63 A, 63 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 63A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 71W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 71W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - SQJQ960EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 63 A, 63 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 63A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 71W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 71W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)