SQJQ960EL-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 71W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 72.03 грн |
| 4000+ | 68.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ960EL-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJQ960EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 63 A, 63 A, 0.007 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 63A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 71W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 71W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQJQ960EL-T1_GE3 за ціною від 69.85 грн до 289.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJQ960EL-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ960EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 63 A, 63 A, 0.007 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 63A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 71W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 71W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 3038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQJQ960EL-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ960EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 63 A, 63 A, 0.007 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 63A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 71W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 71W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 3038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQJQ960EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 71W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQJQ960EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 3023 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
| SQJQ960EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Транз. Пол. ММ 2N MOSFET PowerPAK-8x8-4 Udss=60V; Id=63A; Pdmax=71W; Rds=0,009 Ohm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
SQJQ960EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SQJQ960EL-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
SQJQ960EL-T1-GE3 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |