Продукція > VISHAY > SQJQ980EL-T1_GE3
SQJQ980EL-T1_GE3

SQJQ980EL-T1_GE3 VISHAY

3006512.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ980EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 36 A, 36 A, 0.0036 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0036ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ980EL-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJQ980EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 36 A, 36 A, 0.0036 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0036ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 187W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0036ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 187W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQJQ980EL-T1_GE3 за ціною від 96.87 грн до 131.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ980EL-T1_GE3 SQJQ980EL-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3006512.pdf Description: VISHAY - SQJQ980EL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 36 A, 36 A, 0.0036 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 187W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0036ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 187W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.88 грн
10+96.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ980EL-T1_GE3 SQJQ980EL-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqjq980el-1766455.pdf MOSFET 80V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.