Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQM100N04-2m7_GE3

SQM100N04-2m7_GE3 Vishay / Siliconix

Name: SQM100N04-2m7_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 135847-4
Price: 445.24 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 639 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	222.62 грн
10+	183.15 грн
100+	126.23 грн
250+	116.69 грн
500+	105.68 грн
800+	83.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQM100N04-2m7_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 157W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM100N04-2m7_GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SQM100N04-2M7_GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQM100N04-2m7_GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 98A Power dissipation: 157W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95.5nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQM100N04-2m7_GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQM100N04-2m7_GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQM100N04-2M7-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQM100N04-2M7-GE3	Виробник : Vishay / Siliconix	MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM100N04-2M7_GE3	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQM100N04-2m7_GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 98A Power dissipation: 157W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95.5nC Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.