Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM100N04-2m7_GE3
SQM100N04-2m7_GE3

SQM100N04-2m7_GE3 Vishay Siliconix

sqm100n04-2m7.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+90.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM100N04-2m7_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 157W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM100N04-2m7_GE3 за ціною від 81.87 грн до 256.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM100N04-2m7_GE3 SQM100N04-2m7_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm100n04-2m7.pdf MOSFETs 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.94 грн
10+162.77 грн
100+98.52 грн
500+81.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2m7_GE3 SQM100N04-2m7_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm100n04-2m7.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.81 грн
10+161.46 грн
100+112.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2M7-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm100n04-2m7.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2M7-GE3 SQM100N04-2M7-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm100n04-2m7.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM100N04-2M7_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2m7_GE3 SQM100N04-2m7_GE3 Виробник : VISHAY SQM100N04-2M7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 98A; 157W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 98A
Power dissipation: 157W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.