Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQM100N04-2m7_GE3
SQM100N04-2m7_GE3

SQM100N04-2m7_GE3 Vishay / Siliconix

sqm100n04-2m7.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.45 грн
10+184.78 грн
100+127.78 грн
500+107.12 грн
800+91.82 грн
2400+86.46 грн
4800+84.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM100N04-2m7_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 157W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM100N04-2m7_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM100N04-2M7_GE3 SQM100N04-2M7_GE3 Виробник : Vishay sqm100n04-2m7.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2m7_GE3 Виробник : VISHAY sqm100n04-2m7.pdf SQM100N04-2M7-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2m7_GE3 SQM100N04-2m7_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm100n04-2m7.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2m7_GE3 SQM100N04-2m7_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm100n04-2m7.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2M7-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm100n04-2m7.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2M7-GE3 SQM100N04-2M7-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm100n04-2m7.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM100N04-2M7_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.