Продукція > VISHAY > SQM100N10-10_GE3
SQM100N10-10_GE3

SQM100N10-10_GE3 Vishay

sqm100n1.pdf Виробник: Vishay
Automotive N-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+118.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM100N10-10_GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM100N10-10_GE3 за ціною від 102.26 грн до 317.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM100N10-10_GE3 SQM100N10-10_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm100n1.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.37 грн
10+196.87 грн
100+138.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N10-10_GE3 SQM100N10-10_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm100n1.pdf MOSFETs 100V 100A 375W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 6257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.57 грн
10+210.66 грн
100+130.95 грн
250+130.22 грн
800+102.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N10-10-GE3 Виробник : Vishay sqm100n1.pdf Automotive N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N10-10_GE3 SQM100N10-10_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm100n1.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N10-10-GE3 SQM100N10-10-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT SQM1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.