SQM100P10-19L_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 120.96 грн |
| 1600+ | 111.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM100P10-19L_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.0155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQM100P10-19L_GE3 за ціною від 110.30 грн до 330.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 31200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 31200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.0155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs P Ch -100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 7962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.0155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 93A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : VISHAY |
SQM100P10-19L-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |