SQM100P10-19L_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 127.60 грн |
| 1600+ | 117.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM100P10-19L_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SQM100P10-19L_GE3 за ціною від 105.64 грн до 349.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -53A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -53A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.22µC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -53A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -53A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.22µC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 724 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs P Ch -100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 3875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 93A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 93A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SQM100P10-19L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 93A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |