Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM100P10-19L_GE3
SQM100P10-19L_GE3

SQM100P10-19L_GE3 Vishay Siliconix

sqm100p10-19l.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+125.78 грн
1600+116.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM100P10-19L_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.0155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQM100P10-19L_GE3 за ціною від 114.70 грн до 343.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Виробник : Vishay sqm100p1019l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+147.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Виробник : Vishay sqm100p1019l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+158.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Виробник : VISHAY 3006492.pdf Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.0155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+166.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9020588D038143&compId=SQM100P10-19L.pdf?ci_sign=025e1911ed6ea46e045bb26edd4b8de6b1dedb7b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -53A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -53A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.34 грн
5+209.87 грн
6+158.78 грн
16+150.13 грн
100+149.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm100p10-19l.pdf MOSFETs P Ch -100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.53 грн
10+229.10 грн
25+187.90 грн
100+147.90 грн
500+115.45 грн
800+114.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9020588D038143&compId=SQM100P10-19L.pdf?ci_sign=025e1911ed6ea46e045bb26edd4b8de6b1dedb7b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -53A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -53A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+322.01 грн
5+261.54 грн
6+190.54 грн
16+180.16 грн
100+179.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Виробник : VISHAY 3006492.pdf Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.0155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+337.76 грн
10+234.48 грн
100+166.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm100p10-19l.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.65 грн
10+218.60 грн
100+154.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Виробник : Vishay sqm100p1019l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Виробник : Vishay sqm100p10-19l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Виробник : Vishay sqm100p1019l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 93A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.