SQM10250E_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 107.86 грн |
| 1600+ | 99.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM10250E_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 65A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQM10250E_GE3 за ціною від 98.75 грн до 278.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQM10250E_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQM10250E_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQM10250E_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 65A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQM10250E_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs TO-263 |
на замовлення 8025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQM10250E_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
SQM10250E_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SQM10250E_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SQM10250E_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |