Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM10250E_GE3
SQM10250E_GE3

SQM10250E_GE3 Vishay Siliconix

sqm10250e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+107.56 грн
1600+101.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM10250E_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 250V 65A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM10250E_GE3 за ціною від 108.62 грн до 285.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM10250E_GE3 SQM10250E_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm10250e.pdf MOSFET 250V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 12435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.74 грн
10+204.25 грн
25+171.00 грн
100+143.11 грн
250+139.44 грн
500+127.70 грн
800+108.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM10250E_GE3 SQM10250E_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm10250e.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.80 грн
10+190.59 грн
100+137.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM10250E_GE3 SQM10250E_GE3 Виробник : Vishay sqm10250e.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.