Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM110N05-06L_GE3
SQM110N05-06L_GE3

SQM110N05-06L_GE3 Vishay Siliconix

doc?68838 Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+92.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM110N05-06L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 157W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM110N05-06L_GE3 за ціною від 89.54 грн до 253.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM110N05-06L_GE3 SQM110N05-06L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix doc?68838 Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.61 грн
10+172.77 грн
100+120.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM110N05-06L_GE3 SQM110N05-06L_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors doc?68838 MOSFETs 55V 110A 158W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.44 грн
10+196.65 грн
100+119.63 грн
500+93.21 грн
800+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM110N05-06L-GE3 SQM110N05-06L-GE3 Виробник : Vishay sqm110n0.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM110N05-06L-GE3 SQM110N05-06L-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQM110N0506L_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.