SQM110P06-8M9L_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 110.28 грн |
| 1600+ | 100.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM110P06-8M9L_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQM110P06-8M9L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 7100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SQM110P06-8M9L_GE3 за ціною від 90.64 грн до 317.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQM110P06-8M9L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQM110P06-8M9L_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM110P06-8M9L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 7100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQM110P06-8M9L_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-Channel 60V Automotive MOSFET |
на замовлення 28202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQM110P06-8M9L_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQM110P06-8M9L_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM110P06-8M9L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 7100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQM110P06-8M9L-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |