Продукція > VISHAY > SQM110P06-8M9L_GE3
SQM110P06-8M9L_GE3

SQM110P06-8M9L_GE3 Vishay

sqm110p068m9l.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM110P06-8M9L_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQM110P06-8M9L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQM110P06-8M9L_GE3 за ціною від 100.13 грн до 327.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM110P06-8M9L_GE3 SQM110P06-8M9L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm110p068m9l.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+118.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SQM110P06-8M9L_GE3 SQM110P06-8M9L_GE3 Виробник : VISHAY 3006497.pdf Description: VISHAY - SQM110P06-8M9L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+140.52 грн
500+120.27 грн
1000+100.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQM110P06-8M9L_GE3 SQM110P06-8M9L_GE3 Виробник : VISHAY sqm110p068m9l.pdf Description: VISHAY - SQM110P06-8M9L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+292.05 грн
10+204.01 грн
100+157.45 грн
500+113.98 грн
1000+100.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM110P06-8M9L_GE3 SQM110P06-8M9L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm110p068m9l.pdf MOSFETs P-Channel 60V Automotive MOSFET
на замовлення 28202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.28 грн
10+207.40 грн
25+161.49 грн
100+138.85 грн
250+128.28 грн
500+120.74 грн
800+110.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM110P06-8M9L_GE3 SQM110P06-8M9L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm110p068m9l.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+327.33 грн
10+207.44 грн
100+146.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM110P06-8M9L-GE3 SQM110P06-8M9L-GE3 Виробник : Vishay sqm110p068m9l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.