Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQM120N02-1M3L_GE3
SQM120N02-1M3L_GE3

SQM120N02-1M3L_GE3 Vishay / Siliconix


sqm120n02-1m3l.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.71 грн
10+195.58 грн
25+160.38 грн
100+137.25 грн
250+129.79 грн
500+116.37 грн
800+97.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM120N02-1M3L_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 120A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM120N02-1M3L_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM120N02-1M3L_GE3 SQM120N02-1M3L_GE3 Виробник : Vishay sqm120n02-1m3l.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N02-1M3L_GE3 SQM120N02-1M3L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm120n02-1m3l.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N02-1M3L_GE3 SQM120N02-1M3L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm120n02-1m3l.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.