Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM120N10-3M8_GE3
SQM120N10-3M8_GE3

SQM120N10-3M8_GE3 Vishay Siliconix

sqm120n10-3m8.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM120N10-3M8_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM120N10-3M8_GE3 за ціною від 144.43 грн до 383.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 Vishay sqm120n10-3m8.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+166.06 грн
1600+164.42 грн
2400+162.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 Vishay sqm120n10-3m8.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+166.32 грн
1600+164.69 грн
2400+163.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 Vishay Siliconix sqm120n10-3m8.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.13 грн
10+203.27 грн
100+144.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 VISHAY SQM120N10-3M8.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 125nC
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+330.18 грн
10+209.47 грн
25+184.97 грн
50+173.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 Vishay sqm120n10-3m8.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+383.69 грн
42+336.76 грн
53+268.70 грн
200+245.53 грн
500+203.25 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 VISHAY VISH-S-A0001222295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM120N10-3M8_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 VISHAY VISH-S-A0001222295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM120N10-3M8_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 sqm120n10-3m8.pdf
SQM120N10-3M8_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+166.06 грн
1600+164.42 грн
2400+162.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 sqm120n10-3m8.pdf
SQM120N10-3M8_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+166.32 грн
1600+164.69 грн
2400+163.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 sqm120n10-3m8.pdf
SQM120N10-3M8_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+318.13 грн
10+203.27 грн
100+144.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8.pdf
SQM120N10-3M8_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 125nC
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+330.18 грн
10+209.47 грн
25+184.97 грн
50+173.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 sqm120n10-3m8.pdf
SQM120N10-3M8_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+383.69 грн
42+336.76 грн
53+268.70 грн
200+245.53 грн
500+203.25 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 VISH-S-A0001222295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM120N10-3M8_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM120N10-3M8_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N10-3M8_GE3 VISH-S-A0001222295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM120N10-3M8_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM120N10-3M8_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.