Продукція > VISHAY > SQM120N10-3M8_GE3
SQM120N10-3M8_GE3

SQM120N10-3M8_GE3 VISHAY

SQM120N10-3M8.pdf Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+244.9 грн
5+ 204.46 грн
6+ 157.17 грн
15+ 148.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM120N10-3M8_GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM120N10-3M8_GE3 за ціною від 118.17 грн до 293.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm120n10-3m8.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+249.15 грн
10+ 201.88 грн
100+ 163.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm120n10-3m8.pdf MOSFET N-Channel 100V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+267.16 грн
10+ 220.35 грн
25+ 181.59 грн
100+ 155.55 грн
250+ 146.21 грн
500+ 137.53 грн
800+ 118.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 Виробник : VISHAY SQM120N10-3M8.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 416 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+293.88 грн
5+ 254.78 грн
6+ 188.6 грн
15+ 177.75 грн
SQM120N10-3M8-GE3 SQM120N10-3M8-GE3 Виробник : Vishay sqm120n10-3m8.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 Виробник : Vishay sqm120n10-3m8.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm120n10-3m8.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SQM120N10-3M8-GE3 SQM120N10-3M8-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT SQM120N10-3M8_GE3
товар відсутній