Продукція > VISHAY > SQM120P04-04L_GE3
SQM120P04-04L_GE3

SQM120P04-04L_GE3 Vishay

sqm120p0.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+124.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM120P04-04L_GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM120P04-04L_GE3 за ціною від 115.83 грн до 342.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm120p0.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+125.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 Виробник : VISHAY sqm120p0.pdf Description: VISHAY - SQM120P04-04L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+165.25 грн
500+127.75 грн
1000+115.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm120p0.pdf MOSFET P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.99 грн
10+244.51 грн
100+174.16 грн
500+148.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm120p0.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.72 грн
10+218.30 грн
100+155.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 Виробник : VISHAY sqm120p0.pdf Description: VISHAY - SQM120P04-04L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+342.71 грн
10+224.68 грн
100+165.25 грн
500+127.75 грн
1000+115.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P04-04L-GE3 SQM120P04-04L-GE3 Виробник : Vishay sqm120p0.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 Виробник : Vishay sqm120p0.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P04-04L-GE3 SQM120P04-04L-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM120P04-04L_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.