SQM120P06-07L_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 128.18 грн |
| 1600+ | 121.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM120P06-07L_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SQM120P06-07L_GE3 за ціною від 112.81 грн до 337.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQM120P06-07L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQM120P06-07L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQM120P06-07L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQM120P06-07L_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQM120P06-07L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQM120P06-07L_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQM120P06-07L_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 49585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQM120P06-07L_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 6700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SQM120P06-07L_GE3 | Виробник : VISHAY |
SQM120P06-07L-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
SQM120P06-07L-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SQM120P06-07L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SQM120P06-07L_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SQM120P06-07L-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SQM1 |
товару немає в наявності |