Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM120P06-07L_GE3
SQM120P06-07L_GE3

SQM120P06-07L_GE3 Vishay Siliconix

sqm120p06-07l.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+126.96 грн
1600+120.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM120P06-07L_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQM120P06-07L_GE3 за ціною від 116.73 грн до 333.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Виробник : Vishay sqm120p06-07l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+131.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Виробник : Vishay sqm120p06-07l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+133.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Виробник : VISHAY sqm120p06-07l.pdf Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+183.73 грн
500+151.47 грн
1000+119.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Виробник : Vishay sqm120p06-07l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+246.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Виробник : Vishay sqm120p06-07l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+294.70 грн
10+191.48 грн
100+128.72 грн
800+116.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm120p06-07l.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.83 грн
10+222.74 грн
100+158.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Виробник : Vishay sqm120p06-07l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+317.37 грн
60+206.21 грн
100+138.62 грн
800+125.71 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm120p06-07l.pdf MOSFETs 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 51998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.22 грн
10+245.55 грн
100+156.89 грн
500+123.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Виробник : VISHAY sqm120p06-07l.pdf Description: VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+333.11 грн
10+253.27 грн
100+183.73 грн
500+151.47 грн
1000+119.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 Виробник : VISHAY sqm120p06-07l.pdf SQM120P06-07L-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.68 грн
7+180.81 грн
18+170.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L-GE3 SQM120P06-07L-GE3 Виробник : Vishay sqm120p06-07l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Виробник : Vishay sqm120p06-07l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Виробник : Vishay sqm120p06-07l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L-GE3 SQM120P06-07L-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT SQM1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.