SQM120P10_10M1LGE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 117.59 грн |
| 1600+ | 110.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM120P10_10M1LGE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQM120P10_10M1LGE3 за ціною від 107.79 грн до 386.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQM120P10_10M1LGE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQM120P10_10M1LGE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P Ch -100Vds 20Vgs |
на замовлення 48306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQM120P10"10M1LGE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM120P10"10M1LGE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263 tariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SQM120P10_10M1LGE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 100V 120A TO263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |