Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM120P10_10M1LGE3
SQM120P10_10M1LGE3

SQM120P10_10M1LGE3 Vishay Siliconix

sqm120p10-10m1l.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+129.97 грн
1600+124.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM120P10_10M1LGE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM120P10_10M1LGE3 за ціною від 117.81 грн до 397.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM120P10_10M1LGE3 SQM120P10_10M1LGE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0004852822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM120P10_10M1LGE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0101 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+194.40 грн
500+171.01 грн
1000+126.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P10_10M1LGE3 SQM120P10_10M1LGE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm120p10-10m1l.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.67 грн
10+225.24 грн
100+177.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P10_10M1LGE3 SQM120P10_10M1LGE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqm120p10-10m1l.pdf MOSFETs P Ch -100Vds 20Vgs
на замовлення 48306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+364.44 грн
10+238.62 грн
100+147.45 грн
500+123.89 грн
800+117.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P10_10M1LGE3 SQM120P10_10M1LGE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0004852822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM120P10_10M1LGE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0101 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+397.32 грн
10+269.43 грн
100+194.40 грн
500+171.01 грн
1000+126.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P10_10M1LGE3 SQM120P10_10M1LGE3 Виробник : Vishay sqm120p10-10m1l.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.