Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SQM200N04-1m1L_GE3

SQM200N04-1m1L_GE3 Vishay Semiconductors

Name: SQM200N04-1m1L_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 144606-4
Price: 632.82 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V 200A, 375W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	316.41 грн
10+	256.71 грн
25+	216.27 грн
100+	180.11 грн
250+	175.24 грн
500+	160.64 грн
800+	129.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQM200N04-1m1L_GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20655 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab).

Інші пропозиції SQM200N04-1m1L_GE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	SQM200N04-1m1L_GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20655 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	SQM200N04-1m1L_GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20655 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.