Продукція > VISHAY > SQM30010EL_GE3
SQM30010EL_GE3

SQM30010EL_GE3 VISHAY

2786216.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 1350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+140.58 грн
500+98.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM30010EL_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 1350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQM30010EL_GE3 за ціною від 98.29 грн до 291.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM30010EL_GE3 SQM30010EL_GE3 Виробник : VISHAY 2786216.pdf Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 1350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+291.31 грн
10+191.39 грн
100+140.58 грн
500+98.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM30010EL_GE3 SQM30010EL_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm30010el.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM30010EL_GE3 SQM30010EL_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm30010el.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM30010EL_GE3 SQM30010EL_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm30010el.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.