Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM35N30-97_GE3
SQM35N30-97_GE3

SQM35N30-97_GE3 Vishay Siliconix

sqm35n30-97.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 300V 35A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+159.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM35N30-97_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 300V 35A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5650 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM35N30-97_GE3 за ціною від 127.02 грн до 287.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM35N30-97_GE3 SQM35N30-97_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm35n30-97.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 35A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.15 грн
10+213.19 грн
100+172.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM35N30-97_GE3 SQM35N30-97_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqm35n30-97.pdf MOSFETs N-Chnl 300-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.16 грн
10+237.67 грн
25+195.19 грн
100+167.20 грн
250+157.87 грн
500+148.54 грн
800+127.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM35N30-97_GE3 SQM35N30-97_GE3 Виробник : Vishay sqm35n30-97.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.