Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQM40010EL_GE3
SQM40010EL_GE3

SQM40010EL_GE3 Vishay / Siliconix

sqm40010el.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.54 грн
10+ 157.36 грн
25+ 132.85 грн
100+ 118.24 грн
250+ 114.25 грн
500+ 104.95 грн
800+ 84.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM40010EL_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17100 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM40010EL_GE3 за ціною від 153.5 грн до 218.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002292487-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM40010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00121 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00121ohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+218.33 грн
10+ 153.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002292487-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM40010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00121 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00121ohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Виробник : Vishay sqm40010el.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Виробник : Vishay sqm40010el.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Виробник : Vishay sqm40010el.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm40010el.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17100 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm40010el.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17100 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній