Продукція > VISHAY > SQM40022E_GE3
SQM40022E_GE3

SQM40022E_GE3 Vishay

sqm40022e.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
309+45.74 грн
314+45.04 грн
319+44.33 грн
324+42.07 грн
329+38.32 грн
335+36.18 грн
500+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM40022E_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1630 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQM40022E_GE3 за ціною від 35.58 грн до 79.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Vishay sqm40022e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.06 грн
17+45.04 грн
25+42.75 грн
50+38.95 грн
100+36.79 грн
250+36.18 грн
500+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Vishay / Siliconix sqm40022e.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 VISHAY 2687557.pdf Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1630 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 VISHAY 2687557.pdf Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1630 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 sqm40022e.pdf
SQM40022E_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+79.06 грн
17+45.04 грн
25+42.75 грн
50+38.95 грн
100+36.79 грн
250+36.18 грн
500+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 sqm40022e.pdf
SQM40022E_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 2687557.pdf
SQM40022E_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1630 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 2687557.pdf
SQM40022E_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1630 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.