
SQM40022E_GE3 Vishay
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 99.50 грн |
10+ | 90.42 грн |
25+ | 89.51 грн |
50+ | 85.45 грн |
100+ | 71.51 грн |
250+ | 66.45 грн |
500+ | 56.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM40022E_GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQM40022E_GE3 за ціною від 60.47 грн до 210.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQM40022E_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQM40022E_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 1349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQM40022E_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQM40022E_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQM40022E_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SQM40022E_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SQM40022E_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |