Продукція > VISHAY > SQM40022E_GE3
SQM40022E_GE3

SQM40022E_GE3 VISHAY

2687557.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.62 грн
500+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM40022E_GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM40022E_GE3 за ціною від 56.65 грн до 209.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay sqm40022e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+99.26 грн
10+90.20 грн
25+89.29 грн
50+85.25 грн
100+71.34 грн
250+66.29 грн
500+56.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay sqm40022e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+106.90 грн
126+97.14 грн
127+96.16 грн
128+91.81 грн
142+76.83 грн
250+71.39 грн
500+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm40022e.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.56 грн
10+104.66 грн
100+72.51 грн
250+71.85 грн
500+71.12 грн
800+60.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : VISHAY 2687557.pdf Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.19 грн
10+114.44 грн
100+85.62 грн
500+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm40022e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.59 грн
10+130.50 грн
100+89.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay sqm40022e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay sqm40022e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm40022e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.