Продукція > VISHAY > SQM40022E_GE3
SQM40022E_GE3

SQM40022E_GE3 Vishay

sqm40022e.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
309+40.12 грн
314+39.50 грн
319+38.88 грн
324+36.90 грн
329+33.61 грн
335+31.74 грн
500+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM40022E_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1630 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQM40022E_GE3 за ціною від 33.43 грн до 205.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay sqm40022e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+74.30 грн
17+42.32 грн
25+40.17 грн
50+36.60 грн
100+34.57 грн
250+34.00 грн
500+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : VISHAY 2687557.pdf Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1630 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.67 грн
500+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm40022e.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.46 грн
10+108.90 грн
100+75.45 грн
250+74.76 грн
500+74.00 грн
800+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : VISHAY 2687557.pdf Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1630 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+205.60 грн
10+132.79 грн
100+91.67 грн
500+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay sqm40022e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm40022e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm40022e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.