Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQM40022EM_GE3

SQM40022EM_GE3 Vishay / Siliconix

Name: SQM40022EM_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 3771964-4
Price: 461.10 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263-7L)

на замовлення 5912 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	230.55 грн
10+	145.09 грн
100+	92.73 грн
500+	79.80 грн
800+	66.66 грн
2400+	63.24 грн
9600+	61.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQM40022EM_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM40022EM_GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SQM40022EM_GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQM40022EM_GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQM40022EM_GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQM40022EM_GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQM40022EM_GE3	Виробник : VISHAY	Description: VISHAY - SQM40022EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQM40022EM_GE3	Виробник : VISHAY	Description: VISHAY - SQM40022EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQM40022EM_GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQM40022EM_GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.