SQM40031EL_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 94.58 грн |
| 1600+ | 85.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM40031EL_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQM40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SQM40031EL_GE3 за ціною від 81.36 грн до 264.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQM40031EL_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 19058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQM40031EL_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQM40031EL_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|