SQM40031EL_GE3 Vishay
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 193.22 грн |
| 10+ | 164.58 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM40031EL_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQM40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.
Інші пропозиції SQM40031EL_GE3 за ціною від 87.84 грн до 293.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQM40031EL_GE3 | Vishay Semiconductors |
 MOSFETs P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 19058 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQM40031EL_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQM40031EL_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 375W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm |
на замовлення 2426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SQM40031EL"GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40031EL"GE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 120A, TO-263 tariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 375W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SQM40031EL_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQM40031EL_GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
MOSFETs P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 19058 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 207.58 грн |
| 10+ | 151.09 грн |
| 100+ | 116.36 грн |
| 500+ | 114.11 грн |
| 800+ | 87.84 грн |
| SQM40031EL_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 293.76 грн |
| 10+ | 185.59 грн |
| 50+ | 143.76 грн |
| 100+ | 122.26 грн |
| SQM40031EL_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
Description: VISHAY - SQM40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQM40031EL"GE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40031EL"GE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 120A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SQM40031EL"GE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 120A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQM40031EL_GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)