Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM40031EL_GE3
SQM40031EL_GE3

SQM40031EL_GE3 Vishay Siliconix

sq40031el.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+96.35 грн
1600+88.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM40031EL_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM40031EL_GE3 за ціною від 88.32 грн до 229.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM40031EL_GE3 SQM40031EL_GE3 Виробник : Vishay sq40031el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+137.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40031EL_GE3 SQM40031EL_GE3 Виробник : Vishay sq40031el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.32 грн
10+149.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40031EL_GE3 SQM40031EL_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq40031el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.33 грн
10+145.16 грн
100+121.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40031EL_GE3 SQM40031EL_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq40031el.pdf MOSFETs P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 19058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.73 грн
10+151.92 грн
100+117.01 грн
500+114.74 грн
800+88.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40031EL_GE3 SQM40031EL_GE3 Виробник : VISHAY sq40031el.pdf Description: VISHAY - SQM40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+229.49 грн
10+171.06 грн
100+149.04 грн
500+129.75 грн
1000+111.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40031EL_GE3 SQM40031EL_GE3 Виробник : Vishay sq40031el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40031EL_GE3 SQM40031EL_GE3 Виробник : Vishay sq40031el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.